硅片清洗剂配方有效成分检测，技术转让 硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业 硅片清洗 ；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与 刻蚀 产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面 钝化 。 目前多采用传统的 rca 清洗方法，不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等，还可以去除小颗粒等污染物。 spm 具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成和水。用 spm 清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。 dhf （ hf ），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的 al 、 fe 、 zn 、 ni 等金属，也可以去除自然 氧化膜 上的 氧化物 。在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。 热态洗硅成膜剂，包括 a 剂和 b 剂， a 剂包含强碱性催化剂 5%~35% 、无机溶剂 65%~95% ， 显色剂 微量，原料总和为 ； b 剂包含分析纯 三钠 03%~3% 、分析纯 联 0.05%~2% ，与两种无机溶剂，其原料总和为 ；使用时由 a 剂和 b 剂按照体积比 1:10 的比例混合使用，混合后溶液比重为 1.008g/ml~1.031g/ml 。 日本索尼公司研制的 hf/o3 单片旋转式清洗法，可以有效去除硅表面的有机沾污、无机沾污、金属沾污等。此设备上有三路供液系统，可同时将 hf 酸、溶解油臭氧的 超纯水 、超纯水供应到硅片中心。在此过程中，首先将 hf 酸、溶解油臭氧的超纯水交替供应到硅片中心，每种试剂供应约 10s 交替一次，接着供应纯水进行冲洗。后用旋转干燥法对硅片进行干燥，为避免旋转干燥法给硅片表面带来水迹，可以改用 吹。 有效成分是化学，生物学，药物学广泛应用的术语，指一种混合物中，对生物体代谢或者化学反应起作用的成分。 24 小时服务电话： 0571-87759051 15397161905 余工